駱蘇華
北京集佳律師事務(wù)所上海分所

摘要：通過(guò)對(duì)現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)外企業(yè)在中國(guó)的專利申請(qǐng)量以及集成電路布圖設(shè)計(jì)登記量的對(duì)比，詳細(xì)分析了國(guó)內(nèi)外企業(yè)對(duì)待其技術(shù)成果的保護(hù)的不同考慮角度，為企業(yè)開(kāi)展相關(guān)工作提供指導(dǎo)。

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體，發(fā)明專利，實(shí)用新型專利，集成電路布圖設(shè)計(jì)

一．引言

半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展到今天，已逐漸分化成三大組成部分，即設(shè)計(jì)業(yè)、芯片制造業(yè)和后道封裝業(yè)。這種分化是半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)走向成熟的表現(xiàn)。法律上針對(duì)上述不同的三部分，也產(chǎn)生了多種保護(hù)手段，目前半導(dǎo)體技術(shù)可能涉及的知識(shí)產(chǎn)權(quán)有：專利權(quán)、著作權(quán)、商業(yè)秘密、集成電路布圖設(shè)計(jì)、商標(biāo)權(quán)。下面表1給出保護(hù)半導(dǎo)體技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的簡(jiǎn)要說(shuō)明。

表1保護(hù)半導(dǎo)體技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的簡(jiǎn)要說(shuō)明

從上表可以看出，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)成果通常采用專利權(quán)、商業(yè)秘密以及集成電路布圖設(shè)計(jì)進(jìn)行保護(hù)。而其中，商業(yè)秘密相對(duì)來(lái)說(shuō)條件要求高，發(fā)生侵權(quán)時(shí)舉證困難不經(jīng)常被采用，當(dāng)然，在很多時(shí)候，由于其不會(huì)造成技術(shù)公開(kāi)，很多公司采用該優(yōu)點(diǎn)保護(hù)其核心技術(shù)。為此，下面重點(diǎn)圍繞專利權(quán)和集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的保護(hù)展開(kāi)。

二、國(guó)內(nèi)外企業(yè)登記和申請(qǐng)現(xiàn)狀

我國(guó)于2001年3月28日，國(guó)務(wù)院第36次常務(wù)會(huì)議通過(guò)《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》，該條例從2001年10月1日起實(shí)施，至今，施行《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》已有六年多時(shí)間了。集成電路布圖設(shè)計(jì)的申請(qǐng)量逐年上升，圖1給出集成電路布圖設(shè)計(jì)從2001年以來(lái)的登記量的變化。截至到2008年1月16日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局已公告集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)1505項(xiàng)，在上述登記中，國(guó)內(nèi)企業(yè)（忽略個(gè)人登記）的登記占80％左右，國(guó)外企業(yè)（忽略個(gè)人登記）占20%左右，這說(shuō)明，集成電路布圖設(shè)計(jì)以國(guó)內(nèi)企業(yè)登記為主，國(guó)外企業(yè)登記較少。

圖1從2001年以來(lái)集成電路布圖設(shè)計(jì)的登記量的變化

圖2 從1995年以來(lái)中國(guó)企業(yè)在中國(guó)申請(qǐng)的專利的公開(kāi)量的變化

圖3 從1995年以來(lái)外國(guó)企業(yè)在中國(guó)申請(qǐng)的專利的公開(kāi)量的變化

我國(guó)現(xiàn)行專利法于1985年4月1日起正式施行，分別于1992年和2000年進(jìn)行了兩次修改，目前正面臨第三次修改。圖2給出從1995年以來(lái)中國(guó)企業(yè)（忽略個(gè)人申請(qǐng)）在中國(guó)申請(qǐng)的專利的公開(kāi)量的變化，同時(shí)，圖3給出從1995年以來(lái)外國(guó)企業(yè)（忽略個(gè)人申請(qǐng)）在中國(guó)申請(qǐng)的專利的公開(kāi)量的變化。可以看出，半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中外國(guó)企業(yè)在我國(guó)的專利申請(qǐng)量是中國(guó)單位或者個(gè)人在國(guó)內(nèi)的專利申請(qǐng)量的三倍以上；從專利申請(qǐng)的類型來(lái)看，外國(guó)企業(yè)在國(guó)內(nèi)申請(qǐng)的專利中實(shí)用新型專利占總的專利比例很少，而國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)內(nèi)申請(qǐng)的專利中，實(shí)用新型專利占的比例稍高；同時(shí)，從申請(qǐng)量的增長(zhǎng)趨勢(shì)來(lái)看，國(guó)外企業(yè)在中國(guó)的專利申請(qǐng)量的增長(zhǎng)明顯大于國(guó)內(nèi)企業(yè)的申請(qǐng)量的增長(zhǎng)。

結(jié)合上述集成電路布圖設(shè)計(jì)登記量的統(tǒng)計(jì)結(jié)果，國(guó)外企業(yè)的集成電路布圖設(shè)計(jì)登記量不足國(guó)內(nèi)登記量的四分之一。同時(shí)還要注意，國(guó)內(nèi)的集成電路設(shè)計(jì)權(quán)利人以知名集成電路企業(yè)為主，如無(wú)錫華潤(rùn)、上海貝嶺、上海中穎、上海力通、無(wú)錫日松、上海華虹、北京中星微、中電華大等公司，但這些企業(yè)的專利申請(qǐng)量大都比較少；而美國(guó)、韓國(guó)、南非等國(guó)家中的集成電路布圖設(shè)計(jì)權(quán)利人都是些不太知名的企業(yè)，日本、芬蘭集成電路布圖設(shè)計(jì)權(quán)利人中盡管有部分知名企業(yè)，但是其登記量都不多而國(guó)外大多數(shù)知名企業(yè)在我國(guó)申請(qǐng)了大量專利。

三、現(xiàn)狀分析及結(jié)論

　　國(guó)內(nèi)外企業(yè)在中國(guó)的集成電路布圖設(shè)計(jì)登記量與專利申請(qǐng)量的差別除了由于國(guó)內(nèi)企業(yè)的創(chuàng)新能力較差導(dǎo)致之外，還具有以下原因：

對(duì)于國(guó)內(nèi)企業(yè)來(lái)說(shuō)，集成電路布圖設(shè)計(jì)登記具有審查周期短、審查程序簡(jiǎn)便、費(fèi)用相對(duì)較低等優(yōu)勢(shì)，其取得保護(hù)的便利程度大大超過(guò)專利保護(hù)，所以成本是國(guó)內(nèi)企業(yè)考慮的主要因素。同時(shí)，國(guó)內(nèi)企業(yè)對(duì)于專利法和集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例的客體存在認(rèn)識(shí)誤區(qū)也是一個(gè)重要原因。

國(guó)內(nèi)企業(yè)往往認(rèn)為集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例與專利法的保護(hù)客體完全不同，前者保護(hù)布圖（lay-out），后者保護(hù)結(jié)構(gòu)或者方法，二者風(fēng)馬牛不相及，因而認(rèn)為自己設(shè)計(jì)出來(lái)的版圖與產(chǎn)品或者方法無(wú)關(guān)，故采用集成電路布圖設(shè)計(jì)條例來(lái)保護(hù)。
集成電路布圖設(shè)計(jì)（以下簡(jiǎn)稱布圖設(shè)計(jì)），是指集成電路中至少有一個(gè)是有源元件的兩個(gè)以上元件和部分或者全部互連線路的三維配置，或者為制造集成電路而準(zhǔn)備的上述三維配置，其保護(hù)范圍可以延伸至具有該布局的半導(dǎo)體芯片。因此，集成電路布圖設(shè)計(jì)涉及的是半導(dǎo)體芯片的布局，半導(dǎo)體芯片的布局若含有原始電路設(shè)計(jì)就可得到保護(hù)。

我國(guó)的專利是指發(fā)明、實(shí)用新型和外觀設(shè)計(jì)，專利法所稱發(fā)明，是指對(duì)產(chǎn)品、方法或者其改進(jìn)所提出的新的技術(shù)方案。專利法所稱實(shí)用新型，是指對(duì)產(chǎn)品的形狀、構(gòu)造或者其結(jié)合所提出的適于實(shí)用的新的技術(shù)方案。專利法所稱外觀設(shè)計(jì)，是指對(duì)產(chǎn)品的形狀、圖案或者其結(jié)合以及色彩與形狀、圖案的結(jié)合所作出的富有美感并適于工業(yè)應(yīng)用的新設(shè)計(jì)。由于外觀設(shè)計(jì)保護(hù)的主體是工業(yè)品外觀，不太適于集成電路布圖設(shè)計(jì)，因此本文的專利僅指發(fā)明或者實(shí)用新型。

因此專利權(quán)一般用于保護(hù)“概念”。例如，以前無(wú)先例的方法、程序、構(gòu)造或系統(tǒng)對(duì)上述的改進(jìn)提出聲明及主張。從這個(gè)角度來(lái)說(shuō)，專利權(quán)保護(hù)的范圍比集成電路布圖設(shè)計(jì)延伸的范圍要廣，布圖設(shè)計(jì)中保護(hù)的是提交的布局圖上能夠看到的各個(gè)圖層，類似于外觀設(shè)計(jì)；而發(fā)明和實(shí)用新型專利權(quán)保護(hù)的是該專利中記載的技術(shù)方案，還可以保護(hù)其技術(shù)思想。

實(shí)際上，當(dāng)布圖落實(shí)到實(shí)際工藝中就成為專利中的產(chǎn)品或者方法，因此可以說(shuō)，采用集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)還是采用專利法來(lái)保護(hù)，并不應(yīng)該從企業(yè)做什么而申請(qǐng)，而應(yīng)該從企業(yè)設(shè)計(jì)出來(lái)的產(chǎn)品是從哪個(gè)角度進(jìn)行保護(hù)而申請(qǐng)。所以說(shuō)，集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例與專利法并不矛盾，而是相輔相成。

通常還會(huì)有下列的觀點(diǎn)：在集成電路設(shè)計(jì)中，尤其是設(shè)計(jì)一些規(guī)模較大的電路時(shí)，常將一些已為人所熟知的單元電路加以組合，這種拼揍而成的集成電路大多難以滿足專利法的創(chuàng)造性要求，故而選擇集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)模式進(jìn)行保護(hù)。這個(gè)觀點(diǎn)也是有失偏頗的！

半導(dǎo)體工藝和設(shè)計(jì)的過(guò)程分不開(kāi)，電路設(shè)計(jì)必須基于一定的工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，比如設(shè)計(jì)一種功率放大器電路，當(dāng)采用0.25微米的工藝與采用0.09微米的工藝時(shí)，設(shè)計(jì)的電路即使相同，但是由于器件的尺寸不同，功能就不同，導(dǎo)致其版圖（lay-out）和制造的產(chǎn)品必然不同。但是這個(gè)不同是否簡(jiǎn)單的尺寸的縮放？在進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中，需要克服很多的技術(shù)困難，其實(shí)電路能夠設(shè)計(jì)出來(lái)但是無(wú)法制造出來(lái)的情況很多。因此，雖然布圖設(shè)計(jì)的確存在簡(jiǎn)單拼揍的情況，而不能滿足專利法的創(chuàng)造性的要求，但是更多的情況是由于在實(shí)際設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中，需要克服一定的技術(shù)困難，尤其是在亞微米尺寸的半導(dǎo)體器件中，各種附加的尺寸效應(yīng)隨著工藝的尺寸不同而不同，需要不同的處理方式來(lái)克服，因此具有實(shí)質(zhì)性的特點(diǎn)，能夠滿足專利法的創(chuàng)造性的要求。

當(dāng)然，退一步說(shuō)，如果該企業(yè)單單從事集成電路設(shè)計(jì)，那么其可能對(duì)于制造這一塊的內(nèi)容不是很熟悉，于是會(huì)去進(jìn)行集成電路布圖設(shè)計(jì)登記，但是對(duì)于那些既從事設(shè)計(jì)又從事制造的企業(yè)來(lái)說(shuō)，其應(yīng)該權(quán)衡要從哪個(gè)角度去保護(hù)，確定是申請(qǐng)專利進(jìn)行保護(hù)還是進(jìn)行布圖登記進(jìn)行保護(hù)，最好是二者兼顧。

下面給出一個(gè)實(shí)例來(lái)說(shuō)明集成電路布圖設(shè)計(jì)條例和專利保護(hù)的異同。比如一種CMOS圖像傳感器的發(fā)明，該發(fā)明通過(guò)在溝槽及摻雜區(qū)的下方注入第一雜質(zhì)離子形成光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)以消除場(chǎng)氧化區(qū)底部和邊緣可能存在的暗電流，針形區(qū)由于沒(méi)有被場(chǎng)氧化區(qū)覆蓋，而對(duì)光具有極高的敏感度。該發(fā)明創(chuàng)造由于涉及掩膜圖形的改變，既可以通過(guò)提交該CMOS圖像傳感器的布局（layout）進(jìn)行布圖設(shè)計(jì)登記保護(hù)，還可以申請(qǐng)專利，均可實(shí)現(xiàn)保護(hù)。

從專利保護(hù)內(nèi)容角度來(lái)說(shuō)，可以保護(hù)含有掩埋區(qū)及針形區(qū)的CMOS圖像傳感器、含有該集成電路的物品、制作該CMOS圖像傳感器的方法（發(fā)明），而無(wú)論掩埋區(qū)及針形區(qū)如何布局包括形狀、位置等均落入保護(hù)范圍；從集成電路布圖設(shè)計(jì)條例角度來(lái)說(shuō)，可以保護(hù)含有掩埋區(qū)及針形區(qū)的該CMOS圖象傳感器的布圖，以及含有該CMOS圖象傳感器電路的物品。由于集成電路布圖設(shè)計(jì)條例不延及思想、處理過(guò)程、操作方法或者數(shù)學(xué)概念等，因而當(dāng)含有不同布局的掩埋區(qū)及針形區(qū)的CMOS圖象傳感器無(wú)法保護(hù)，或者說(shuō)，如果含有該掩埋區(qū)及針形區(qū)的CMOS圖象傳感器電路具有不同的布局，那么需要進(jìn)行不同集成電路布圖設(shè)計(jì)的登記。因此，專利法的保護(hù)廣度更強(qiáng)。

從權(quán)利人的權(quán)利角度來(lái)看，專利由于保護(hù)思想，若有相關(guān)產(chǎn)品涉及侵權(quán)，還可以通過(guò)“等同原則”進(jìn)行認(rèn)定，凡是涉及光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)及其變形的圖像傳感器、及制造、使用、許諾銷售、銷售、進(jìn)口該圖像傳感器或者使用其專利方法，均可以被認(rèn)定侵權(quán)（即專利權(quán)中的排他性）；而對(duì)于登記后的集成電路，復(fù)制受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)的全部或者其中任何具有獨(dú)創(chuàng)性的部分的，為商業(yè)目的進(jìn)口、銷售或者以其他方式提供受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)、含有該布圖設(shè)計(jì)的集成電路或者含有該集成電路的物品的被認(rèn)定為侵權(quán)。因此，一旦發(fā)生侵權(quán)，申請(qǐng)專利可以要求更多的被告和賠償額。

從申請(qǐng)兩種保護(hù)后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的反應(yīng)來(lái)看，獲得專利權(quán)除了具有上述排他性的權(quán)利外，它也有少于被人重視到的功能，那就是預(yù)計(jì)競(jìng)爭(zhēng)者的可能發(fā)展方向和產(chǎn)品，而申請(qǐng)有針對(duì)性的專利來(lái)達(dá)成阻礙競(jìng)爭(zhēng)者的手段。在這樣的運(yùn)用方式下，可以說(shuō)專利權(quán)的可塑性比其它的知識(shí)產(chǎn)權(quán)高。專利權(quán)不但可用于保護(hù)自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)觀念（用于防守），也可用于阻礙（用于攻擊）競(jìng)爭(zhēng)者的新產(chǎn)品或發(fā)展。

國(guó)外企業(yè)在考慮以哪種方式進(jìn)行保護(hù)的時(shí)候，重專利輕集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)的深層次原因，也正是可能在于上述的對(duì)兩種權(quán)利的價(jià)值和保護(hù)效果的不同理解。

因此，從企業(yè)的專利布局來(lái)說(shuō)，當(dāng)該技術(shù)方案既可以采用專利法保護(hù)又可以采用集成電路保護(hù)條例進(jìn)行保護(hù)的時(shí)候，如果資金面允許，兩者均申請(qǐng)，可以多角度的進(jìn)行保護(hù)；若資金面不允許，但是該發(fā)明創(chuàng)造又很重要的話，建議申請(qǐng)專利進(jìn)行保護(hù)。雖然在取得專利權(quán)前的籌備與執(zhí)行中，需要投注實(shí)質(zhì)上的時(shí)間與金錢，包含交付政府專利機(jī)構(gòu)及專利律師的費(fèi)用等，但是在將來(lái)專利的潛力無(wú)法預(yù)估，即使是一些并不太重要的專利，還可以通過(guò)公開(kāi)而防止由于成為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的專利而需要付實(shí)施許可費(fèi)或者受到限制。

集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)制度在我國(guó)實(shí)施的時(shí)間不長(zhǎng)，但它是知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)國(guó)際規(guī)則的重要組成部分，我們不能輕率地否定它的價(jià)值，但應(yīng)加強(qiáng)研究，不僅僅是理論研究，更要強(qiáng)調(diào)實(shí)踐層面的調(diào)研，在充分認(rèn)識(shí)和理解集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)制度的基礎(chǔ)上，為企業(yè)開(kāi)展相關(guān)工作提供指導(dǎo)。